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超低能鍺探測器

超低能鍺探測器

產品型號:

所屬分類:高純鍺探測器係列

產品時間:2020-01-07

簡要描述:超低能鍺探測器特性和好處:
• 適合於 300 eV 到300keV 譜學應用
• 效率比 Si(Li)和SDD 高
• 直到很高的技術速率都提供很好的峰形
• 峰/本底比較高

超低能鍺探測器

應用
• XRF
• XAS (XAFS, EXAFS,
XANES)
• X-射線譜學

描述:
Canberra 的超低能鍺探測器(Ultra-LEGe) 把Ge 探測器的性能範圍延伸到幾百ev,提供過去的半導體
探測器所不能比擬的分辨率、峰形和峰/本底比。超低能鍺探測器保持了鍺探測器固有的高能效率特性,由於原子數(Z)高加上相對地高的厚度(5-10mm),因而能夠轉換比市場上任何單光子探測器更廣的能量範圍。下麵的圖2 把一個5 mm 厚的Ge 探測器X 射線譜高能端的效率與典型的基於矽的探測器作比較。通常的鍺探測器-包括專門為低能應用製造的探測器-3keV 以下峰形和效率都很差。這曾經被認為是鍺探測器的基本特性,使鍺探測器不能應用於大多數分析X 射線的應用。Canberra 發明的製造技術消除了這些問題。由此產生的超低能鍺探測器提供鍺探測器本征效率和分辨率的優勢,而沒有通常鍺探測器的缺點。

性能:
由於Canberra的探測器結構適用於所有低能鍺探測器,各種尺寸的超低能鍺探測器都能夠提供卓越的性能。例如,100mm2的超低能鍺探測器在5.9keV的分辨率小於150eV(FWHM),而同樣尺寸的Si ( Li )探測器的分辨率超過160eV ( FWHM )。Ultra-LEGe探測器的主要優點是它非常低的電容,這意味著即使在非常短的成形時間,該探測器也能保持好的能量分辨率。例如,一個50mm2 探測器以0.1 微秒成形時間和100 kcps 計數率計數時,在5.9 keV 處典型分辨率為300 eV (FWHM)。這使得Ultra-LEGe理想地適用於高計數率XRF和回旋加速器應用。Ultra-LEGe探測器表現出很好的峰-本底比(P/B)。.P/B-比定義為5.9 keV 處峰高除以1- 4 keV能量範圍內計數的平均,一個Ultra-LEGe探測器的P/B典型值2000:1.。在圖 1 中,Ultra-LEGe 超低能鍺探測器對一個來自NIST22063 薄膠片標準類的X 射線譜表現出卓越的分辨率、峰形和低本底噪聲。這一譜是用裝備聚合物窗的超低能鍺探測器獲取的,使用電子掃描顯微鏡激發的。

 


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